NESG220033-A 数据表(PDF) - NEC

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NESG220033-A 数据表 (PDF) - NEC

NESG220033-A Datasheet PDF - NEC


部件名	NESG220033-A

下载	NESG220033-A 下载

文件大小	95.56 Kbytes

页	8 Pages

制造商	NEC [NEC]

网页	http://www.nec.com/

标志

功能描述	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

NESG220033-A Datasheet (PDF)

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部件名	NESG220033-A

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文件大小	95.56 Kbytes

页	8 Pages

制造商	NEC [NEC]

网页	http://www.nec.com/

标志

功能描述	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

NESG220033-A 数据表 (HTML) - NEC

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NESG220033-A 产品详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =14.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 12.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin minimold (33 PKG)

类似零件编号 - NESG220033-A

制造商	部件名	数据表	功能描述
Renesas Technology Corp	NESG220033-T1B	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

类似说明 - NESG220033-A

制造商	部件名	数据表	功能描述
NEC	NESG210833	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	97Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	91Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
Renesas Technology Corp	NESG210833	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	221Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
California Eastern Labs	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)

关于 NEC

NEC Corporation是一家日本跨国信息技术和电子公司。该公司成立于1899年，总部位于日本东京。 NEC提供广泛的产品和服务，包括信息技术，电信和电子产品。它的投资组合包括计算机硬件，软件和服务，网络解决方案，显示解决方案以及企业服务器和存储解决方案。

NEC以其在信息技术领域的专业知识及其提供创新和高质量产品和服务的能力而闻名。该公司在世界各地拥有运营和设施，并在亚太地区拥有强大的业务。 NEC与客户紧密合作，提供满足其特定要求和需求的自定义解决方案。

除了其核心业务外，NEC还活跃于研发领域，并参与了与高级技术有关的各种项目，例如人工智能，5G网络和物联网（IoT）。 NEC致力于提供可持续的解决方案，以支持社会发展并改善世界各地人们的生活质量。

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