IXKH30N60C5 数据表(PDF) - IXYS Corporation

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IXKH30N60C5 数据表 (PDF) - IXYS Corporation

IXKH30N60C5 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部件名	IXKH30N60C5

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制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

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功能描述	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET

IXKH30N60C5 Datasheet (PDF)

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部件名	IXKH30N60C5

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制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

标志

功能描述	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET

IXKH30N60C5 数据表 (HTML) - IXYS Corporation

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类似零件编号 - IXKH30N60C5

制造商	部件名	数据表	功能描述
Inchange Semiconductor ...	IXKH30N60C5	383Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

类似说明 - IXKH30N60C5

制造商	部件名	数据表	功能描述
GTM CORPORATION	G2N7002K	368Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G111K	366Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G138	324Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
IXYS Corporation	IXKH35N60C5	114Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKC25N80C	119Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface
	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
AiT Semiconductor Inc.	AM2302	1Mb / 9P	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET REV1.1
	AM2306	703Kb / 8P	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET REV3.1
	AM8205	886Kb / 11P	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET REV3.0 - JUN 2010

关于 IXYS Corporation

IXYS Corporation是一家技术公司，专门研究电力半导体和集成电路（ICS）的设计，制造和销售。该公司成立于1983年，总部位于加利福尼亚州的米尔皮塔斯。 IXYS拥有全球影响力，在全球60多个国家 /地区拥有运营和客户。

IXYS提供了广泛的产品和解决方案，包括电力MOSFET，功率双极晶体管，晶闸管，二极管和ICS用于电源管理和控制应用。该公司的产品用于多种应用，包括可再生能源，工业，汽车和消费电子产品。

Ixys以其功率半导体技术方面的专业知识以及为客户提供高性能和成本效益的解决方案的能力。该公司致力于创新和研发，并积极参与电力半导体市场的新技术和解决方案的开发。 IXYS是电力半导体市场的公认领导者，并继续为其客户提供高质量的产品和服务。

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