IXKH35N60C5 数据表(PDF) - IXYS Corporation

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IXKH35N60C5 数据表 (PDF) - IXYS Corporation

IXKH35N60C5 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部件名	IXKH35N60C5

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文件大小	114.76 Kbytes

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制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

标志

功能描述	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

IXKH35N60C5 Datasheet (PDF)

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部件名	IXKH35N60C5

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制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

标志

功能描述	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

IXKH35N60C5 数据表 (HTML) - IXYS Corporation

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IXKH35N60C5 产品详情

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Features

• fast COOLMOS®* power MOSFET 4th generation

- High blocking capability

- Lowest resistance

- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

Applications

• Switched mode power supplies(SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

类似零件编号 - IXKH35N60C5

制造商	部件名	数据表	功能描述
Inchange Semiconductor ...	IXKH35N60C5	383Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

类似说明 - IXKH35N60C5

制造商	部件名	数据表	功能描述
IXYS Corporation	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
IXYS Corporation	IXKC25N80C	119Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface
Infineon Technologies A...	SPD06N60C3	401Kb / 11P	Ultra low gate charge
STMicroelectronics	STF9N80K5	762Kb / 16P	Ultra-low gate charge 11-Nov-2015
	STD5N95K5	1Mb / 26P	Ultra-low gate charge 04-Jan-2017
	STD6N90K5	825Kb / 16P	Ultra-low gate charge November 2016 Rev 1
	STD7N90K5	817Kb / 16P	Ultra-low gate charge October 2016 Rev 1
	STF15N95K5	1Mb / 18P	Ultra low gate charge 07-Feb-2014
IXYS Corporation	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
IXYS Corporation	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

关于 IXYS Corporation

IXYS Corporation是一家技术公司，专门研究电力半导体和集成电路（ICS）的设计，制造和销售。该公司成立于1983年，总部位于加利福尼亚州的米尔皮塔斯。 IXYS拥有全球影响力，在全球60多个国家 /地区拥有运营和客户。

IXYS提供了广泛的产品和解决方案，包括电力MOSFET，功率双极晶体管，晶闸管，二极管和ICS用于电源管理和控制应用。该公司的产品用于多种应用，包括可再生能源，工业，汽车和消费电子产品。

Ixys以其功率半导体技术方面的专业知识以及为客户提供高性能和成本效益的解决方案的能力。该公司致力于创新和研发，并积极参与电力半导体市场的新技术和解决方案的开发。 IXYS是电力半导体市场的公认领导者，并继续为其客户提供高质量的产品和服务。

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