IRFP3710 数据表(PDF)

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IRFP3710 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRFP3710 Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRFP3710

下载	IRFP3710 下载

文件大小	185.43 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)

IRFP3710 Datasheet (PDF)

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部件名	IRFP3710

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文件大小	185.43 Kbytes

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制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)

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IRFP3710 产品详情

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

类似零件编号 - IRFP3710

制造商	部件名	数据表	功能描述
Inchange Semiconductor ...	IRFP3710	334Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP3710PBF	233Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )
	IRFP3710PBF	234Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
	IRFP3710PBF	234Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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类似说明 - IRFP3710

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710	94Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRFP044	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRFZ44VZ	298Kb / 12P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
	IRFP3710PBF	233Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	279Kb / 11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRFZ44VZPBF	355Kb / 13P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A )

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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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