IRFPS3810 数据表(PDF)

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IRFPS3810 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRFPS3810 Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRFPS3810

下载	IRFPS3810 下载

文件大小	124.13 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A??

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部件名	IRFPS3810

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文件大小	124.13 Kbytes

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制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A??

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IRFPS3810 产品详情

Description
The HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

类似零件编号 - IRFPS3810

制造商	部件名	数据表	功能描述
Inchange Semiconductor ...	IRFPS3810	395Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFPS3810PBF	173Kb / 8P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRFPS3810PBF	178Kb / 8P	Advanced Process Technology
	IRFPS3810PBF	178Kb / 8P	Advanced Process Technology

More results

类似说明 - IRFPS3810

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1104	101Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A??
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF1704	102Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A??
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF5210	125Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
	IRFP064	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRF2204SPBF	256Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6m廓 , ID = 170A )

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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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