IRFZ24N 数据表(PDF)

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IRFZ24N 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRFZ24N Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRFZ24N

下载	IRFZ24N 下载

文件大小	123.82 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

IRFZ24N Datasheet (PDF)

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部件名	IRFZ24N

下载	IRFZ24N Click to download

文件大小	123.82 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

IRFZ24N 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRFZ24N 产品详情

Description

Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology

• Dynamic dv/dt Rating

• 175°C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

类似零件编号 - IRFZ24N

制造商	部件名	数据表	功能描述
NXP Semiconductors	IRFZ24N	64Kb / 8P	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor February 1999 Rev 1.000
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ24N	741Kb / 8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFZ24N	163Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFZ24N	596Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
SYC Electronica	IRFZ24N	167Kb / 8P	Advanced Process Technology

More results

类似说明 - IRFZ24N

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3315	124Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
	IRF530N	212Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFIZ24N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=14A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFRU024N	178Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A??
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ24V	200Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)

More results

关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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