VB30100S 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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VB30100S 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

VB30100S Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	VB30100S

下载	VB30100S 下载

文件大小	149.13 Kbytes

页	5 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VB30100S Datasheet (PDF)

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部件名	VB30100S

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VB30100S 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

VB30100S 产品详情

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

类似零件编号 - VB30100S

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	VB30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	VB30100S	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VB30100S	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VB30100S	139Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VB30100S-E3	156Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Dec-16

类似说明 - VB30100S

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB30100S-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 15-May-13
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 11-Sep-13
	VT1060C-E3	156Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-Dec-16
	VT1060C-M3	133Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 15-Dec-16
	VT3080S-E3	157Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-May-13

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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