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STP35N60DM2 数据表 (PDF) - STMicroelectronics
STP35N60DM2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
部件名 STP35N60DM2
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文件大小   733.44 Kbytes
页   13 Pages
制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
网页  http://www.st.com
标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Extremely high dv/dt ruggedness

STP35N60DM2 Datasheet (PDF)

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STP35N60DM2 Datasheet PDF - STMicroelectronics

部件名 STP35N60DM2
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制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Extremely high dv/dt ruggedness

STP35N60DM2 数据表 (HTML) - STMicroelectronics


STP35N60DM2 产品详情

Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.




类似零件编号 - STP35N60DM2

制造商部件名数据表功能描述
logo
STMicroelectronics		 STP35N60M2-EP STMICROELECTRONICS-STP35N60M2-EP Datasheet
735Kb / 14P		 N-channel 600 V, 0.110 typ., 26 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
02-May-2017
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类似说明 - STP35N60DM2

制造商部件名数据表功能描述
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Silikron Semiconductor ...		 SSF7N60 SILIKRON-SSF7N60 Datasheet
439Kb / 6P		 Extremely high dv/dt capability
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716Kb / 13P		 Extremely high dv/dt ruggedness
28-Jan-2016
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28-Jan-2016
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09-Dec-2015
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728Kb / 12P		 Extremely high dv/dt ruggedness
09-Dec-2015
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关于 STMicroelectronics

Stmicroelectronics是位于瑞士日内瓦的跨国电子和半导体制造商。

该公司为汽车，工业和消费者市场的各种应用提供了广泛的产品，包括微控制器，传感器，功率放大器和集成电路。

Stmicroelectronics成立于1987年，在1​​00多个国家 /地区开展业务，是世界上最大的半导体公司之一。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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