VB20150C-M3 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20150C-M3 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

VB20150C-M3 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	VB20150C-M3

下载	VB20150C-M3 下载

文件大小	89.16 Kbytes

页	4 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A

VB20150C-M3 Datasheet (PDF)

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VB20150C-M3 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	VB20150C-M3

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页	4 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A

VB20150C-M3 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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VB20150C-M3 产品详情

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C

类似零件编号 - VB20150C-M3

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	VB20150C-M3	102Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 19-Jun-2018
Inchange Semiconductor ...	VB20150C-M3	314Kb / 2P	Schotty Barrier Diode
Vishay Siliconix	VB20150C-M3	79Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 30-Aug-13
Vishay Siliconix	VB20150C-M3	102Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 19-Jun-2018

类似说明 - VB20150C-M3

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20150C	168Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V10150S	156Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Aug-13
	VB10150S-M3	86Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	VT30L60C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT4060C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	V20150C-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	VB30150C-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5.0 A 22-May-13
	VBT4060C-M3	88Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17
	VFT4060C-E3	88Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 22-Nov-13

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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