V20150C 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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V20150C 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

V20150C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	V20150C

下载	V20150C 下载

文件大小	168.29 Kbytes

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

V20150C Datasheet (PDF)

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部件名	V20150C

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

V20150C 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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V20150C 产品详情

Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

类似零件编号 - V20150C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V20150C	163Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V20150C-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	V20150C-E3	154Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 17-Aug-15
	V20150C-E3	218Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 18-Jun-2018
	V20150C-E3/4W	163Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

类似说明 - V20150C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	V10150S	156Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Aug-13
	VB10150S-M3	86Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	V20150C-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	VB20150C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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