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EMF09P02CS 数据表(PDF) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

部件名 EMF09P02CS
功能描述  P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF  5 Pages
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制造商  EXCELLIANCE [Excelliance MOS Corp.]
网页  http://www.excelliancemos.com/
标志 EXCELLIANCE - Excelliance MOS Corp.

EMF09P02CS 数据表(HTML) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

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2016/3/11 
p.2 
EMF09P02CS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP
MAX
STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage 
V(BR)DSS 
VGS = 0V, ID = ‐250A 
‐20  
 
V 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS = VGS, ID = ‐250A 
‐0.4 ‐0.75
‐1.2
Gate‐Body Leakage 
IGSS 
VDS = 0V, VGS = ±8V  
 
±100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS 
VDS = ‐16V, VGS = 0V  
 
‐1 
A
VDS = ‐12V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  
 
‐10 
On‐State Drain Current
1 
ID(ON) 
VDS = ‐5V, VGS = ‐4.5V ‐56  
 
A 
Drain‐Source On‐State Resistance
1 
RDS(ON) 
VGS = ‐4.5V, ID = ‐24A  
7.2
9 
mΩ
VGS = ‐2.5V, ID = ‐15A  
9.6
12.5
VGS = ‐1.8V, ID = ‐5A  
14.5
18 
Forward Transconductance
1 
gfs 
VDS = ‐5V, ID = ‐24A  
32
 
S 
DYNAMIC 
Input Capacitance 
Ciss  
VGS = 0V, VDS = ‐10V, f = 1MHz 
 
7660
 
pF
Output Capacitance 
Coss  
596
 
Reverse Transfer Capacitance  
Crss  
510
 
Gate Resistance 
Rg 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz  
3.0
 Ω 
Total Gate Charge
1,2 
Qg(VGS=‐4.5V)
 
VDS = ‐10V, VGS = ‐4.5V, 
ID = ‐24A 
 
51
 
nC
Qg(VGS=‐2.5V)
 
32
 
Gate‐Source Charge
1,2 
Qgs  
4.9
 
Gate‐Drain Charge
1,2 
Qgd  
13
 
Turn‐On Delay Time
1,2 
td(on)  
 
25
 
nS
Rise Time
1,2 
tr 
VDS = ‐10V,  
 
55
 
Turn‐Off Delay Time
1,2 
td(off) 
ID = ‐1A, VGS = ‐4.5V, RGS = 6Ω 
 
150
 
Fall Time
1,2 
tf  
 
65
 
SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
IS  
 
 
‐56 
A 
Pulsed Current
3 
ISM  
 
 
‐150
Forward Voltage
1 
VSD 
IF = ‐24A, VGS = 0V  
 
‐1.2
V 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2Independent of operating temperature. 



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