2016/3/11 

p.4 

EMF09P02CS

‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

20

1

DS

80

40

60

‐3.0V

‐2.5V

23

4

‐4.0V‐3.5V

V   = ‐4.5 V

GS

Typical output characteristics

‐1.8V

5

T   = 25°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

2.5

0.010

0

0

0.005

0.015

0.5 1.0

GS

1.5

2.0

A

0.030

0.020

0.025

0.035

A

T   = 125°C

3.5

3.0

4.0

4.5

5.0

I   = ‐ 8A

D

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

T   = 125°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.6

0.001

0

0.01

0.1

SD

0.2

0.4

25°C

V    = 0V

1

10

100

GS

A

0.8

1.0

‐55°C

1.2

I      = ‐ 24 A

T   ‐ Junction Temperature (°C)

‐50

0.6

0.8

1.0

J

‐25

0

25

50

D

V     = ‐ 4.5V

1.2

1.4

1.6

GS

150

100

75

125

On‐Resistance Variation with Temperature

-V - Gate-Source Voltage( V )

1.0

0

10

GS

1.5

2.0

V = - 5V

20

30

40

DS

3.0

2.5

3.5

T = 125°C

A

- 55°C

25°C

Transfer Characteristics

 

TYPICAL CHARACTERISTICS 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

‐3.0V

‐3.5V

‐4.0V

‐4.5V

020

40

60

80

0.0

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.5

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

‐2.5V