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YAS1 数据表(PDF) 2 Page - Xiamen silicon-top opto electronics Co.,ltd |
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2 / 7 page 厦门市硅兆光电科技有限公司 Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd. 版权归厦门市硅兆光电科技有限公司所有 www.siliconbillion.com REV5.0 Mar 2020 2 电参数/Electrical parameter (Ta= 25℃) 特性参数/Parameter 符号 /Symbo l 测试条件 /Test condition 最小 值 /Min. 典型值 /Typ. 最大值 /Max. 单位 /Unit 输入端 Input 正向电压 /LED forward voltage V F IF=10mA 1.2 1.3 V 输入电流 / Input Current I Vin=14.4 Vd.c,Ri=750 Ω 10.0 19.8 mA 输出端 Output 额定电流 / ON-state RMS current I IF=10mA 1200 mA 额定电流 / ON-state RMS current (D0.6*22) I IF=10mA 600 mA 维持电流 /Holding current I H 50 mA 电压指数上升率 /dv/dt dv/dt VDRM=600V*1/√2 200 V/µs 耦合特性 Transfer characteristics 触发电流/Trigger current I FT VO=6V,RL=100 Ω 4 8 mA 导通电压降 /Output on-state voltage drop (D0.6*22) V IF=10mA,IL=600mA VD=6V 1.1 2.0 V 导通电压降 /Output on-state voltage drop V IF=10mA,IL=1200mA VD=6V 1.1 2.0 V 导通时间/ Turn on time t on IF=10mA, VD=6V,RL=100 Ω 0.01 1 ms 导通时间 /Turn on time ( 过零 zero-cross) t on IF=10mA, VD=6V,RL=100 Ω 1+1/2cycle ms 关断时间 Turn off time t off 1+1/2cycle ms 介质电压 / Dielectric Strength* V ISO Ioff≤0.5mA 4000 V rms 工作温度 Operating temperature T -30 85 ℃ 储存温度 Store temperature -40 125 备注:1、介质电压超过 3000V 建议在油里测试。在测试前请务必确认输入端和输出端已经分别短路 2、带“*”参数为关键参数。 |
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