YFW10N60B3-R datasheet(1/6 Pages) YFWDIODE

部件名	YFW10N60B3-R

功能描述	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor

PDF	6 Pages

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制造商	YFWDIODE [DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]

网页	http://www.yfwdiode.com/

标志

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N-CHANNEL MOSFET

10N60B

1 / 6

www.yfwdiode.com

Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.

10A 600V N沟道增强型场效应管

主要参数：

ID

10A

VDSS

600V

RDSON-typ(@VGS=10V)

0.6Ω

性能特点：



开关速度快



低导通电阻



低反向传输电容



低栅极电荷量



100%单脉冲雪崩能量测试



提升了dv/dt能力

机械性能：



注塑成型封装



适用任何位置安装



封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准



加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s



封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263

G.栅极 D.漏极 S.源极

产品规格分类：

产品料号

封装形式

产品印字

包装方式

YFW10N60B2

TO-220F(0.5mm)

10N60BF

50PCS每管

YFW10N60B8

TO-220F(1.3mm)

10N60BF

50PCS每管

YFW10N60B3

TO-263

10N60BS

50PCS每管

YFW10N60B3-R

TO-263

10N60BS

800PCS每盘

YFW10N60B9

TO-220C

10N60BC

50PCS每管

类似零件编号 - YFW10N60B3-R

制造商	部件名	数据表	功能描述
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	YFW10N60A2	962Kb / 6P	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N60A3	962Kb / 6P	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N60A3-R	962Kb / 6P	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N60A8	962Kb / 6P	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	YFW10N60A9	962Kb / 6P	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor

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制造商	部件名	数据表	功能描述
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2N60A	760Kb / 5P	2A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	4N60A	1Mb / 7P	4A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	6N60A	1Mb / 7P	6A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	10N50A	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	10N50B	949Kb / 6P	10A 500V N-channel enhanced field effect transistor
	10N60A	962Kb / 6P	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	10N80A	935Kb / 6P	10A 800V N-channel enhanced field effect transistor
	12N60A	885Kb / 5P	12A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	20N60A	833Kb / 6P	20A 600V N-channel enhanced field effect transistor
	35N60A	851Kb / 5P	35A 600V N-channel enhanced field effect transistor

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