YFW10N60B3-R datasheet(2/6 Pages) YFWDIODE

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N-CHANNEL MOSFET

10N60B

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www.yfwdiode.com

Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.

极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C)

参数名称

符号

参数范围

单位

220C

220F

263

漏源电压

VDS

600

栅源电压

VGS

±30

漏极电流-持续

漏极脉冲电流(注 1)

IDM

耗散功率

130

单脉冲雪崩能量(注 1)

EAS

580

工作结温范围

150

°C

贮存温度范围

TSTG

-55 to +150

°C

芯片对管壳热阻

RθJC

0.96

3.13

0.96

°C/W

芯片对环境的热阻

RθJA

62.5

°C/W

电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C)

参数名称

测试条件

符号

最小值

典型值

最大值

单位

漏源击穿电压

VGS = 0 V,ID = 250 μA

BVDSS

600

漏源击穿电流

VDS = 600V, VGS = 0 V

IDSS

栅源漏电流

VGS = ± 30 V, VDS = 0 V

IGSS

±100

栅极开启电压

VDS = VGS , ID = 250 μA

VGS(th)

导通电阻

VGS = 10 V, ID = 5 A

RDS(on)

0.6

0.72

正向跨导

VDS = 15 V, ID = 5 A

gfs

9.5

输入电容

VGS = 0 V, VDS = 25 V,

f = 1MHz

Ciss

1264

输出电容

Coss

124

反向传输电容

Crss

开启延迟时间(注2)

ID = 10A, VDD = 300 V,

RG= 10Ω

td(ON)

开启上升时间(注2)

关断延迟时间(注2)

td(OFF)

关断下降时间(注2)

栅极电荷量(注2)

ID = 10 A, VDD = 480V,

VGS = 10 V

栅极-源极电荷量(注2)

QGS

棚极-漏极电荷量(注2)

QGD

YFW10N60B3-R 数据表(PDF) 2 Page - DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

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