JT05N065RED-R-BR datasheet(5/12 Pages) JSMC

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JT05N065RED/SED/FED/CED

版本：202309J

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反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向压降

Diode Forward Voltage

VGE=0V, IF=2.5A, Tj=25℃

1.5

1.8

正向压降

Diode Forward Voltage

VGE=0V, IF=3.0A, Tj=25℃

1.6

1.9

反向恢复时间

Diode Reverse recovery time

trr

VGE=0V, VR=400V IF=5A

dIF/dt=200A/μs, Tj=25℃

反向恢复电荷

Diode Reverse recovery charge

Qrr

145

反向恢复电流

Diode Reverse recovery Current

Irrm

4.0

反向恢复时间

Diode Reverse recovery time

trr

VGE=0V, VR=400V IF=6A

dIF/dt=200A/μs

反向恢复电荷

Diode Reverse recovery charge

Qrr

156

反向恢复电流

Diode Reverse recovery Current

Irrm

4.4

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大值 MAX

单位

Unit

JT05N065RED

JT05N065SED/CEDJT05N065FED

结到管壳的热阻-IGBT

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

2.2

1.8

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

110

℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：基本与工作温度无关

3：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,占空比≤2％

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction temperature

2：Essentially independent of operating temperature

3：Pulse Test：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

JT05N065RED-R-BR 数据表(PDF) 5 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JT05N065RED-R-BR 数据表(HTML) 5 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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