CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

IMZA65R026M2H

Public

Datasheet

3

Revision 2.0

https://www.infineon.com

2024‑09‑24

1   Maximum ratings

at   = 25°C, unless otherwise specified.

T

Note: for optimum lifetime and reliability, Infineon recommends operating conditions that do not exceed 

80% of the maximum ratings stated in this datasheet.

Table 2      Maximum ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Continuous DC drain current 1)

I

‑

‑

64 

45.3 A

T  = 25°C 

 = 100°C

T

Peak drain current 2)

I

‑

‑

215 A

T  = 25°C,   = 18 V

V

Avalanche energy, single pulse

E

‑

‑

200 mJ

I  = 7.5 A,   = 50 V; see table 11

V

Avalanche energy, repetitive

E

‑

‑

1.00 mJ

I  = 7.5 A,   = 50 V; see table 11

V

Avalanche current, single pulse

I

‑

‑

7.5 A

‑

MOSFET 

 ruggedness

dv/dt

dv/dt

‑

‑

200 V/ns

V = 0...400 V

Gate source voltage (static) 3)

V

‑7

‑

23 V

‑

Gate source voltage (transient)

V

‑10 ‑

25 V

t  ≤ 500 ns, duty cycle ≤ 1%

Power dissipation

P

‑

‑

227 W

T  = 25°C

Storage temperature

T

‑55 ‑

150 °C

‑

Operating junction temperature

T

‑55 ‑

175 °C

‑

Mounting torque

‑

‑

‑

60 Ncm M3 and M3.5 screws

Continuous reverse drain current 1) I

‑

‑

64 

42.0 A

V  = 18 V,   = 25°C 

T

 = 0 V,   = 25°C

V

T

Peak reverse drain current 2)

I

‑

‑

215 

65 A

T  = 25°C,   ≤ 250 ns 

t

 = 25°C

T

Insulation withstand voltage

V

‑

‑

n.a. V

V ,   = 25°C,   = 1 min

T

t

    Limited by 

.

1)

T

    Pulse width 

 limited by 

.

2)

t

T

    The maximum gate‑source voltage in the application design should be in accordance to IPC‑9592B.

3)

j

DDC

c

c

DM

c

GS

AS

D

DD

AR

D

DD

AS

DS

GS

GS

p

tot

c

stg

j

SDC

GS

c

GS

c

SM

c

p

c

ISO

rms

c

j,max

pulse

j,max