CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

IMZA65R026M2H

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Datasheet

7

Revision 2.0

https://www.infineon.com

2024‑09‑24

Table 6      Dynamic characteristics

External parasitic elements (PCB layout) influence switching behavior significantly.

Stray inductances and coupling capacitances must be minimized. 

For layout recommendations please use provided application notes or contact Infineon sales office.

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Turn‑off delay time

t

‑

16

‑

ns

V  = 400 V,   = 0/18 V,

V

 = 34.5 A, 

 = 1.8 Ω;

I

R

see table 10

Fall time

t

‑

5.1 ‑

ns

V  = 400 V,   = 0/18 V,

V

 = 34.5 A, 

 = 1.8 Ω;

I

R

see table 10

Turn‑ON switching losses 8)

E

‑

43

‑

μJ

V  = 400 V,   = 0/18 V,

V

 = 34.5 A, 

 = 1.8 Ω

I

R

Turn‑OFF switching losses 8)

E

‑

33

‑

μJ

V  = 400 V,   = 0/18 V,

V

 = 34.5 A, 

 = 1.8 Ω

I

R

Total switching losses 8)

E

‑

76

‑

μJ

V  = 400 V,   = 0/18 V,

V

 = 34.5 A, 

 = 1.8 Ω

I

R

    Maximum specification is defined by calculated six sigma upper confidence bound.

5)

    

 is a fixed capacitance that gives the same stored energy as 

 while   is rising from 0 to 400 V.

6) C

C

V

    

 is a fixed capacitance that gives the same charging time as 

 while   is rising from 0 to 400 V.

7) C

C

V

    Values for 4‑pin configuration based on TO‑263‑7 measurements; MOSFET used in half‑bridge configuration without external 

8)

diode.

Table 7      Gate charge characteristics

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Plateau gate to source charge

Q

‑

11.0 ‑

nC

V  = 400 V,   = 34.5 A,

I

 = 0 to 18 V

V

Gate to drain charge

Q

‑

7.6 ‑

nC

V  = 400 V,   = 34.5 A,

I

 = 0 to 18 V

V

Total gate charge

Q

‑

42 ‑

nC

V  = 400 V,   = 34.5 A,

I

 = 0 to 18 V

V

Table 8      Reverse diode characteristics

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Drain‑source reverse voltage

V

‑

4.3 ‑

V

V  = 0 V,   = 34.5 A,   = 25°C

I

T

MOSFET forward recovery time

t

‑

16 

10.7 ‑

ns

V  = 400 V,   = 34.5 A,

I

d /d  = 1000 A/μs; see table 9 

i t

 = 400 V,   = 34.5 A,

V

I

d /d  = 4000 A/μs; see table 9

i t

d(off)

DD

GS

D

G,ext

f

DD

GS

D

G,ext

on

DD

GS

D

G,ext

off

DD

GS

D

G,ext

tot

DD

GS

D

G,ext

o(er)

oss

DS

o(tr)

oss

DS

GS(pl)

DD

D

GS

GD

DD

D

GS

G

DD

D

GS

SD

GS

S

j

fr

DD

S

S

DD

S

S