CS6583BO datasheet(2/9 Pages) SEMICO

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M O S 电路

CS6583

版本：S-2014-07-F

无锡华润矽科微电子有限公司

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2. 2、功能描述

CS6583 是 LED 恒流驱动芯片，集成 500V 高压功率管，无需光耦等次级反馈环路，

具有高精度的 LED 恒流输出，极大的节约了成本。电路逐周期检测电感的峰值电流，

CS 外接采样电阻 Rcs，内部与 400mV 阈值比较器连接。当功率 MOS 管导通时，CS 端

的电压随着电感电流的上升而上升。当 CS 端电压超过 400mV 时，MOS 管关断，电感

开始放电，电感电流逐渐下降。当电路检测到电感电流降为 0 时，内部逻辑控制 MOS

管重新打开。

2.2.1、启动和 VDD 欠压保护

系统上电后，VDD 电压开始上升。当 VDD 电压上升到 UVLO 开启电压后，系统开

始工作，系统正常工作后，VDD 电压需要降低到 UVLO 关断电压以下，系统才会停止

工作，实现 UVLO 保护功能。

2.2.2、恒流控制

CS6583 采用 BUCK 架构，工作在临界导通模式。LED 输出电流计算公式如下：

REF





其中，V

REF 为 CS 采样阈值电压（典型值为 400 mV）

RCS 为电感电流采样电阻

2.2.3、前沿消隐

由于存在寄生电容，MOSFET 在导通瞬间，会产生一个脉冲电流。CS6583 内部集

成有前沿消隐功能，在 MOSFET 导通的瞬间，设计有 350ns 的前沿消隐时间，在这段时

间内，电流比较器停止工作，避免脉冲电流让电流比较器发生误翻转，如下图所示：

VCS

TLEB=350ns

图 2 前沿消隐

CS6583BO 数据表(PDF) 2 Page - WUXI CHINA RESOURCES SEMICO CO., LTD.