SFH 480

GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm)

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 481

SFH 482

2001-10-01

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SFH 480, SFH 481, SFH 482

Wesentliche Merkmale

• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• Hohe Zuverlässigkeit

• Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

• Hermetisch dichtes Metallgehäuse

• SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216

• SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43

• SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• IR-Gerätefernsteuerungen

• Sensorik

• Lichtgitter

Features

• GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

• Anode is electrically connected to the case

• High reliability

• Matches all Si-Photodetectors

• Hermetically sealed package

• SFH 480: Same package as SFH 216

• SFH 481: Same package as BPX 43

• SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65

Applications

• Photointerrupters

• IR remote control of various equipmet

• Sensor technology

• Light-grille barrier