LD 242

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

2007-12-07

1

Wesentliche Merkmale

• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• Hohe Zuverlässigkeit

• Großer Öffnungskegel

• Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,

SFH 483

• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• Sensorik

• Lichtgitter

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Strahlstärkegruppierung

Radiant Intensity Grouping

1)

I

1)

gemessen bei einem Raumwinkel

Ω = 0.01 sr

measured at a solid angle of

Ω = 0.01 sr

LD 242-2/3

Q62703Q4749

> 4.0

LD 242 E7800

Q62703Q3509

1 - 3.2

Features

• Fabricated in a liquid phase epitaxy process

• Cathode is electrically connected to the case

• High reliability

• Wide beam

• Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,

SFH 483

• DIN humidity caregory in acc. with

DIN 40 040 GQG

Applications

• Photointerrupters

• Sensor technology

• Light curtains