数据搜索系统,热门电子元器件搜索
  Chinese  ▼
ALLDATASHEETCN.COM

X  

LD242 数据表(PDF) 4 Page - OSRAM GmbH

部件名 LD242
功能描述  GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
PDF  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
制造商  OSRAM [OSRAM GmbH]
网页  http://www.osram.com
标志 OSRAM - OSRAM GmbH

LD242 数据表(HTML) 4 Page - OSRAM GmbH

  LD242 Datasheet HTML 1Page - OSRAM GmbH LD242 Datasheet HTML 2Page - OSRAM GmbH LD242 Datasheet HTML 3Page - OSRAM GmbH LD242 Datasheet HTML 4Page - OSRAM GmbH LD242 Datasheet HTML 5Page - OSRAM GmbH LD242 Datasheet HTML 6Page - OSRAM GmbH LD242 Datasheet HTML 7Page - OSRAM GmbH  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 4 / 7 page
background image
2007-12-07
4
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke I
e in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity I
e in Axial Direction
measured at a solid angle of
Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LD 242-2
LD 242-3
LD 242 7800
1)
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
I
F = 1 A, tp = 100 µs
I
e
I
e typ.
4
… 8
50
> 6.3
75
1
… 3.2
mW/sr
mW/sr
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser
verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7


数据表 下载

Go To PDF Page


链接网址



ALLDATASHEET是否为您带来帮助?  [ DONATE ] 

关于 Alldatasheet   |   广告服务   |   联系我们   |   隐私政策   |   数据表链接    |   链接交换   |   制造商名单
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com