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AP8003TBC-R1 数据表(PDF) 3 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited |
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AP8003TBC-R1 数据表(HTML) 3 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited |
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3 / 10 page ![]() AP8003 Chipown www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1805 2018 年 5 月 3 / 10 极限工作范围 VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~10V SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~500V 结工作温度范围 ……….…..….…..…...….….-40~150℃ 存储温度范围 ……………………….….…. ….-55~150℃ 管脚焊接温度( 10秒)……………..……………...260℃ 封装热阻 RθJC (SOT23-5L)…..........…………….80℃/W 封装热阻 RθJC(TO-92)…..........………...……….83℃/W 人体模式 ESD 能力(1)(HBM)……..…...….……... ±2kV 漏极脉冲电流( Tpulse=100us)………….…….…..…..…1A 备注: 1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。 电气特性 (TA = 25°C, VDD=5V, 除非另有说明) 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 功率部分 功率管耐压 BVDSS ISW =250uA 500 570 V 关态漏电流 IOFF Vsw =500V 10 μA 导通电阻 RDS(on) ISW = 300mA, T J =25°C 25 Ω VDD电压部分 VDD启动阈值电压 VDDon 4.9 5.2 5.5 V VDD欠压保护阈值电压 VDDoff 3.9 4.2 4.5 V VDD回差 VDDhys 1 V VDD钳位保护电压 VDDclamp 6.3 6.7 V VDD反馈基准电压 VDD-REF 5.2 5.4 5.65 V VDD电流部分 启动管充电电流 IDDch VDD=4V 2 mA 静态电流 IDD0 VDD=4V 400 uA 工作电流 IDD1 fs=40KHz 1.7 mA 内部电流检测 尖峰电流限流值 Ilimit 300 335 370 mA 过流检测前沿消隐时间 TLEB 300 ns 反馈输入 最小关断时间 Toffmin 21 26 31 us 最大开启时间 Tonmax 9 us 过温保护 过温保护温度 TSD 135 150 °C 过温保护回差 THYST 50 °C |
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