AP8003TBC-R1 datasheet(5/10 Pages) CHIPOWN

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AP8003

Chipown

www.chipown.com

Rev.1805

2018 年 5 月

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功能描述

AP8003 集成 PFM 控制器及 500V 高可靠性

MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离

开关电源，输出电压为

5V。AP8003内置高压启动

与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机。该

芯片提供了完整的智能化保护功能，包括欠压保

护，过温保护。另外

AP8003的降频调制技术有助

于改善

EMI特性。

1. 高压启动

在启动阶段，内部高压启动管提供

2mA电流对

外部

VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，

芯片开始工作，高压启动管停止对

VDD电容充电；

当

VDD电压降低到VDDOFF，芯片继续工作，但内

部高压启动管再次提供

2mA电流对外部VDD电容

进行充电；从而实现芯片自供电，无需辅助绕组或

其他外围元件对芯片供电。

2. 恒压工作模式

芯片通过

VDD管脚对输出进行电压采样，

VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压

VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成

的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到

内部基准电流

IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，

由系统二极管对储能电感续流。图

2-1和图2-2分别

给出连续模式（

CCM）和非连续模式（DCM）下

系统关键节点工作波形。同时芯片集成负载补偿功

能，可以提高恒压精度，实现较好的负载调整率。

DMOS

DIODE

Iout

Ipeak

Vout

VRF

VREF

图

1-1 连续模式下工作波形

图

1-2 非连续模式下工作波形

3. 软启动

为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度

CCM模式，带来较大电流尖峰。AP8003设置软启

动功能，在启动前

8ms，最高开关频率降低为33%，

在启动

8ms到12ms，最高开关频率降低为66%。同

时芯片设计较小的

LEB时间（300ns）,以降低LEB

时间内能量大小，以避免系统启动时的高电流尖

峰。

4. 智能保护功能

AP8003集成全面的保护功能，包括：VDD欠

压保护和过温保护功能，并且这些保护具有自恢复

模式。

VDD 欠压保护------当芯片 VDD 电压低于

VDDoff，芯片重新启动。另外芯片异常自恢复的时

间可通过

VDD 电容调整，VDD 电容越大，自恢复

时间越长。

过温保护

------当芯片结温超过150℃，芯片进

入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于

100℃，芯片重新启动。

AP8003TBC-R1 数据表(PDF) 5 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited

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