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PN8054SSC-R1 数据表(PDF) 3 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited |
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PN8054SSC-R1 数据表(HTML) 3 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited |
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3 / 9 page ![]() PN8054 Chipown www.chipown.com © 2017 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1709 2017 年 9 月 3 / 9 极限工作范围 VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~35V SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V 结工作温度范围 ……….…..….…..…...….….-40~150℃ 存储温度范围 ……………………….…....…….-55~150℃ 管脚焊接温度 ( 10秒)……………..……………...260℃ 封装热阻 RθJC(SOP-7)…..........………………….80℃/W 人体模式 ESD 能力(1)(HBM)……..…...…...……... ±6kV 空气模式 ESD 能力(2)……….………..….…….……...8kV 漏极脉冲电流( Tpulse=100us)………….…….…..…..…3A 备注: 1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。 2. 此项测试条件为静电测试仪对芯片引脚直接放电,企业内部标准,结果仅供参考。 电气特性 (TA = 25°C, V DD = 14 V, 除非另有说明 ) 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 功率部分 功率管耐压 BVDSS ISW =250uA 650 690 V 关态漏电流 IOFF Vsw =500V 100 μA 导通电阻 RDS(on) ISW = 400mA, T J =25°C 8.0 Ω 高压启动电压 VSW_START VDD=VDDon – 1V 30 V VDD电压部分 VDD启动阈值电压 VDDon 9.5 11 12.5 V VDD欠压保护阈值电压 VDDoff 7.5 8.5 9.5 V VDD回差 VDDhys 2.5 V VDD钳位保护电压 VDDclamp 18 20 22 V VDD反馈基准电压 VDD-REF 15.3 V VDD电流部分 启动管充电电流 IDDch VDD=10V -2 mA 静态电流 IDD0 VDD=6V 0.3 0.6 0.9 mA 工作电流 IDD1 VDD =13V 1.2 mA 内部电流检测 尖峰电流限流值 Ilimit 540 600 660 mA 过流检测前沿消隐时间 TLEB 300 ns 反馈输入 最小关断时间 Toffmin 17 19 21 μs 最大开启时间 Tonmax 13 μs 过温保护 过温保护温度 TSD 135 150 °C 过温保护回差 THYST 30 °C 重启保护 异常重启时间 TRESTART CVDD=4.7μF 3 S |
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