PN8054SSC-R1 datasheet(5/9 Pages) CHIPOWN

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PN8054

Chipown

www.chipown.com

Rev.1709

2017 年 9 月

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功能描述

PN8054集成PFM控制器及650V高雪崩能力智

能功率

MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率

非隔离开关电源。

PN8054内置650V高压启动模块，

实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了

完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，

过温保护。另外

PN8054的降频调制技术有助于改善

EMI特性。

1. 高压启动

在启动阶段，内部高压启动管提供

2mA电流对

外部

VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，

芯片开始工作，高压启动管停止对

VDD电容充电。

启动过程结束后，输出通过隔离二极管对

VDD电容

提供能量，供芯片继续工作。

2. 恒压工作模式

芯片通过

VDD管脚对输出进行电压采样，VDD

电压经过内部分压电阻分压得到采样电压

VRF。当

VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功

率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准

电流

IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二

极管对储能电感续流。图

1-1和图1-2分别给出连续模

式（

CCM）和非连续模式（DCM）下系统关键节点

工作波形。同时芯片集成负载补偿功能，可以提高

恒压精度，实现较好的负载调整率。

图

1-1 连续模式下工作波形

图

1-2 非连续模式下工作波形

实际应用中

VDD对输出的电压采样还受到隔离

二极管影响，因此芯片

VDD-REF 设置为

15.3V(TYP)，以抵消隔离二极管上的压降。

3. PFM 调制

芯片工作在

PFM模式，同时内部设置IPEAK随

芯片工作频率

FSW降低而降低，芯片开关周期每增大

1us，Ipeak降低约13.3mA。由于芯片内置采样，最

大

Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感

感量是唯一调制工作频率的参数。建议电感量为

0.8~1.6mH, 如果感量过小，系统带载能力会偏小，

如果感量过大，容易造成电感饱和，影响可靠性。

4. 软启动

为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度

CCM模式，带来较大电流尖峰，PN8054设置软启动

功能，通过限制

Toffmin降低启动阶段的开关频率。

同时芯片设计较小的

LEB时间（300ns）,以降低LEB

时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰。

5. 智能保护功能

PN8054集成全面的保护功能，包括：过温保护、

VDD欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。

过温保护

------当芯片结温超过150℃，芯片进入

过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于

120度，

芯片重新启动。

VDD 欠压保护 ------ 当芯片 VDD 电压低于

VDDoff，芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过

VDD电容调整，VDD电容越大，自恢复时间越长。

PN8054SSC-R1 数据表(PDF) 5 Page - Wuxi Chipown Micro-electronics limited

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