DI017N06PQ

DI017N06PQ

N-Channel Power MOSFET

N-Kanal Leistungs-MOSFET

ID25°C

= 17 A

RDS(on) < 33 mΩ

Tjmax

= 175°C

VDSS = 60 V

PD

= 21 W

EAS = 3.7 mJ

Version 2024-08-05

QFN5x6

~TDSON-8

SPICE Model & STEP File 1)

Marking Code

506N300

HS Code 85412900

Typical Applications

DC/DC Converters

Power Supplies

DC Drives

Power Tools

Synchronous Rectifiers

Commercial / industrial grade 1)

Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)

Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)

Typische Anwendungen

Gleichstrom-Wandler

Stromversorgungen

Gleichstrom-Antriebe

Elektrowerkzeuge

Synchrongleichrichter

Standardausführung 1)

Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)

Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)

Features

Low profile, space saving package

Low on state resistance

Fast switching times

Low gate charge

Avalanche rated

Compliant to RoHS (exemp. 7a),

REACH, Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Flache, platzsparende Bauform

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltzeiten

Niedrige Gate-Ladung

Avalanche-Charakteristik

Konform zu RoHS (Ausn. 7a),

REACH, Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1)

Mechanische Daten 1)

Taped and reeled

5000 / 13“

Gegurtet auf Rolle

Weight approx.

0.1 g

Gewicht ca.

Case material

UL 94V-0

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

260°C/10s

Löt- und Einbaubedingungen

MSL = 3

Maximum ratings 1)

Grenzwerte 2)

DI017N06PQ/-AQ

Drain-Source voltage – Drain-Source-Spannung

VGS = 0 V (short)

VDSS

60 V

Gate-Source-voltage continuos – Gate-Source-Spannung dauernd

VGSS

± 20 V

Power dissipation – Verlustleistung

TC = 25°C 2)

Ptot

21 W

Drain current continous – Drainstrom dauernd

TC = 25°C 3)

ID

17 A

Drain current continous – Drainstrom dauernd

TC = 100°C 3)

ID

10 A

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

3)

IDM

50 A

Source current continous – Sourcestrom dauernd

TC = 25°C 3)

IS

13 A

Peak Source current – Source-Spitzenstrom

VGS = 0 V, tp = 10 ms

ISM

40 A

Single pulse avalanche energy

Einzelpuls Avalanche-Energie

(Fig. 1)

VDD = 30 V, IAS = 8.6 A

L = 0.1 mH, RG = 25 Ω

EAS

3.7 mJ

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Tj

TS

-55…+175°C

-55…+175°C

1

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

1

TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

2

Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne

3

Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm

©

http://www.diotec.com/

1

Pb

RoHS

G

D

S

1 2 3 4

8 7 6 5

‧

1

2 3

4

5

6

7

8