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UDN302L-AE3-R 数据表(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies

部件名 UDN302L-AE3-R
功能描述  P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWERTRENCH MOSFET
PDF  4 Pages
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制造商  UTC [Unisonic Technologies]
网页  http://www.utc-ic.com
标志 UTC - Unisonic Technologies

UDN302L-AE3-R 数据表(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies

  UDN302L-AE3-R Datasheet HTML 1Page - Unisonic Technologies UDN302L-AE3-R Datasheet HTML 2Page - Unisonic Technologies UDN302L-AE3-R Datasheet HTML 3Page - Unisonic Technologies UDN302L-AE3-R Datasheet HTML 4Page - Unisonic Technologies  
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UDN302
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R502-278.B
TYPICAL CHARACTERISTICS
Drain Current vs. Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage, VTH (V)
Drain Current vs.
Drain-Source Breakdown Voltage
Drain-Source Breakdown Voltage, BVDSS(V)
0
50
250
100
150
200
300
350
400
450
030
10
20
40
0
50
250
100
150
200
300
0.2
00.8
0.4
0.6
1.0
Drain-Source On-State
Resistance Characteristics
Drain to Source Voltage, VDS (mV)
150
0
100
50
200
3.0
0
1.0
2.0
2.5
0.5
1.5
ID=-2.4A
VGS=-4.5V
ID=-2A
VGS=-2.5V



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