Semiconductor Group

1

1997-11-01

Wesentliche Merkmale

q

GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt

im Schmelzepitaxieverfahren

q

Gute Linearität (I

q

Sehr hoher Wirkungsgrad

q

Hohe Zuverlässigkeit

q

Hohe Impulsbelastbarkeit

q

SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

SFH 203

Anwendungen

q

IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,

Lichtdimmern

q

Gerätefernsteuerungen

Features

q

GaAs infrared emitting diodes, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

q

Good linearity (I

q

High efficiency

q

High reliability

q

High pulse handling capability

q

SFH 415: Same package as SFH 300,

SFH 203

Applications

q

IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers

q

Remote control of various equipment

GaAs-IR-Lumineszenzdioden

GaAs Infrared Emitters

SFH 415

SFH 416

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

7.8

7.5

9.0

8.2

29

27

1.8

1.2

4.8

4.2

5.9

5.5

0.6

0.4

Area not flat

Chip position

Cathode

Approx. weight 0.2 g

GEO06645

5.9

5.5

0.6

0.4

5.7

5.5

6.9

6.1

4.0

3.4

29.5

27.5

1.8

1.2

Area not flat

0.6

0.4

Cathode (Diode)

Chip position

GEX06630

Approx. weight 0.4 g

Collector (Transistor)