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LETH3W 数据表(PDF) 1 Page - OSRAM GmbH |
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LETH3W 数据表(HTML) 1 Page - OSRAM GmbH |
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1 / 19 page  LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W OSRAM OSTAR - Projection Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Vorläufige Daten / Preliminary Data 2010-03-03 1 Besondere Merkmale • Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in Multi-Chip on Board Technologie mit Glasabdeckung • Besonderheit des Bauteils: extrem hohe Helligkeit und Leuchtdichte dank Oberflächenemission und niedrigem R th Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik • Wellenlänge: 617 nm (amber); 520 nm (true green); 464 nm (blue) • Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°) • Abstrahlende Fläche: typ. 3,2 x 2,1 mm² • Technologie: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN • Leuchtdichte: 26*10 6 cd/m² (amber); 41*10 6 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue) • Montierbarkeit: verschraubbar • Stecker: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB • ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-D • Verpackungseinheit: 50 St. pro Box = Verpackungseinheit • Erweiterte Korrosionsfestigkeit: Details siehe Seite 14 Anwendungen • Projektion • Medizintechnik: Operationslampen • Strahler für die Allgemeinbeleuchtung Features • package: compact lightsource in multi chip on board technology with glass window on top • feature of the device: outstanding brightness and luminance due to pure surface emission and low R th prepared for additional optics • wavelength: 617 nm (amber); 520 nm (true green); 464 nm (blue) • viewing angle: Lambertian Emitter (120°) • light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm² • technology: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN • Luminance: 26*10 6 cd/m² (amber); 41*10 6 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue) • mounting methods: screw holes • connector: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB • ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to JESD22-A114-D • method of packing: 50 pcs. per tray = packing unit • Superior Corrosion Robustness: details see page 14 Applications • projection • medical lighting: surgery light • spotlights |
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