K4M56163PE-R datasheet(3/12 Pages) SAMSUNG

部件名	K4M56163PE-R

功能描述	4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

PDF	12 Pages

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制造商	SAMSUNG [Samsung semiconductor]

网页	http://www.samsung.com/Products/Semiconductor

标志

3 / 12 page

K4M56163PE - R(B)G/F

February 2004

Mobile-SDRAM

54Ball(6x9) FBGA

123

789

VSS

DQ15

VSSQ

VDDQ

DQ0

VDD

DQ14

DQ13

VDDQ

VSSQ

DQ2

DQ1

DQ12

DQ11

VSSQ

VDDQ

DQ4

DQ3

DQ10

DQ9

VDDQ

VSSQ

DQ6

DQ5

DQ8

VSS

VDD

LDQM

DQ7

UDQM

CLK

CKE

CAS

RAS

A12

A11

BA0

BA1

A8A7A6A0A1

A10

VSS

VDD

Pin Name

Pin Function

CLK

System Clock

Chip Select

CKE

Clock Enable

A0 ~ A12

Address

BA0 ~ BA1

Bank Select Address

RAS

Row Address Strobe

CAS

Column Address Strobe

Write Enable

L(U)DQM

Data Input/Output Mask

DQ0 ~ 15

Data Input/Output

VDD/VSS

Power Supply/Ground

VDDQ/VSSQ

Data Output Power/Ground

Symbol

Min

Typ

Max

0.90

0.95

1.00

0.30

0.35

0.40

E-

11.00

-6.40-

8.00

-6.40-

0.80

0.40

0.45

0.50

0.10

[Unit:mm]

Package Dimension and Pin Configuration

< Top View*2 >

< Bottom View*1 >

< Top View*2 >

*2: Top View

Encapsulant

Max. 0.20

*1: Bottom View

#A1 Ball Origin Indicator

E/2

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