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JCS80N10F 数据表(PDF) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 JCS80N10F
功能描述  N-CHANNEL MOSFET
PDF  11 Pages
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制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS80N10F 数据表(HTML) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
JCS80N10F
版本：201510C
3/11
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
符
号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
Min
典型
Typ
最 大
Max
单 位
Units
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
BV
B
DSSB
I
B
DB=250μA, VBGSB=0V
100
-
-
V
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBV
B
DSSB/Δ
T
B
JB
I
B
DB=1mA, referenced to 25℃
-
0.13
-
V/℃
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
I
B
DSSB
V
B
DSB=100V,VBGSB=0V,TBCB=25℃
-
-
1
μA
V
B
DSB=80V,
T
B
CB=125℃
-
-
10
μA
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, forward
I
B
GSSFB
V
B
DSB=0V,
V
B
GSB =20V
-
-
100
nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, reverse
I
B
GSSRB
V
B
DSB=0V,
V
B
GSB =-20V
-
-
-100
nA
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
V
B
GS(th)B
V
B
DSB = VBGSB ,
I
B
DB=250μA
2.0
-
4.0
V
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
R
B
DS(ON)B
V
B
GSB =10V ,
I
B
DB=40A
-
9.7
12
mΩ
栅极电阻 Gate Resistance
RG
f=1.0MHZ ， open drain
3.5
Ω
正向跨导
Forward Transconductance
g
B
fsB
V
B
DSB = 25V , IBDB=40A
（note 4） -
64
-
S
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
C
B
issB
V
B
DSB=25V,
V
B
GSB =0V,
f=1.0MH
B
ZB
-
5960
-
pF
输出电容
Output capacitance
C
B
ossB
-
580
-
pF
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
B
rssB
-
252
-
pF



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