V61103C 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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V61103C 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

V61103C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	V61103C

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文件大小	147.64 Kbytes

页	5 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5 A

V61103C Datasheet (PDF)

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部件名	V61103C

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5 A

V61103C 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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V61103C 产品详情

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106

类似零件编号 - V61103C

制造商	部件名	数据表	功能描述
EM Microelectronic - MA...	V6116	871Kb / 15P	Digitally Programmable 2, 4 and 8 Mux LCD Driver
	V6116V60TBA-3041	871Kb / 15P	Digitally Programmable 2, 4 and 8 Mux LCD Driver
	V6116V6WP11E	871Kb / 15P	Digitally Programmable 2, 4 and 8 Mux LCD Driver
	V6116V6WP27E	871Kb / 15P	Digitally Programmable 2, 4 and 8 Mux LCD Driver
	V6118	1Mb / 15P	2, 4 and 8 Multiplex LCD Driver

类似说明 - V61103C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	VT1045C-M3	135Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 12-May-16
	VBT1045C-E3	90Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 09-Sep-13
	VBT1045C-M3	102Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 30-Apr-13
	VFT1045C-M3	88Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 22-Nov-13

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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