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2SC5761-T2 数据表 (PDF) - NEC
2SC5761-T2 Datasheet PDF - NEC
部件名 2SC5761-T2
下载  2SC5761-T2 下载
文件大小   81.5 Kbytes
页   14 Pages
制造商  NEC [NEC]
网页  http://www.nec.com/
标志 NEC - NEC
功能描述 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

2SC5761-T2 Datasheet (PDF)

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2SC5761-T2 Datasheet PDF - NEC

部件名 2SC5761-T2
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文件大小   81.5 Kbytes
页   14 Pages
制造商  NEC [NEC]
网页  http://www.nec.com/
标志 NEC - NEC
功能描述 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE & HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

2SC5761-T2 数据表 (HTML) - NEC


2SC5761-T2 产品详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

FEATURES
• Ideal for low noise ⋅ high-gain amplification
   NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package




类似零件编号 - 2SC5761-T2

制造商部件名数据表功能描述
logo
Renesas Technology Corp		 2SC5761-T2 RENESAS-2SC5761-T2 Datasheet
305Kb / 16P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
May 2003
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类似说明 - 2SC5761-T2

制造商部件名数据表功能描述
logo
NEC		 2SC5507 NEC-2SC5507 Datasheet
91Kb / 12P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5508 NEC-2SC5508 Datasheet
106Kb / 16P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE661M04 NEC-NE661M04 Datasheet
70Kb / 7P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5754 NEC-2SC5754 Datasheet
89Kb / 13P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
NESG2021M16 NEC-NESG2021M16 Datasheet
120Kb / 12P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
NESG2031M16 NEC-NESG2031M16 Datasheet
119Kb / 12P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
logo
California Eastern Labs		 NESG3031M05-T1-A CEL-NESG3031M05-T1-A Datasheet
673Kb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)
NESG2021M16 CEL-NESG2021M16 Datasheet
861Kb / 11P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
NESG210719 CEL-NESG210719 Datasheet
1Mb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
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Renesas Technology Corp		 2SC5754 RENESAS-2SC5754_15 Datasheet
222Kb / 15P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
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关于 NEC

NEC Corporation是一家日本跨国信息技术和电子公司。该公司成立于1899年，总部位于日本东京。 NEC提供广泛的产品和服务，包括信息技术，电信和电子产品。它的投资组合包括计算机硬件，软件和服务，网络解决方案，显示解决方案以及企业服务器和存储解决方案。

NEC以其在信息技术领域的专业知识及其提供创新和高质量产品和服务的能力而闻名。该公司在世界各地拥有运营和设施，并在亚太地区拥有强大的业务。 NEC与客户紧密合作，提供满足其特定要求和需求的自定义解决方案。

除了其核心业务外，NEC还活跃于研发领域，并参与了与高级技术有关的各种项目，例如人工智能，5G网络和物联网（IoT）。 NEC致力于提供可持续的解决方案，以支持社会发展并改善世界各地人们的生活质量。

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