IRF9Z34N 数据表(PDF)

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IRF9Z34N 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRF9Z34N Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRF9Z34N

下载	IRF9Z34N 下载

文件大小	108.25 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)

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部件名	IRF9Z34N

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制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)

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IRF9Z34N 产品详情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

类似零件编号 - IRF9Z34N

制造商	部件名	数据表	功能描述
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9Z34N	1Mb / 10P	Advanced Planar Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9Z34N	335Kb / 2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9Z34NL	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9Z34NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9Z34NL	273Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor

More results

类似说明 - IRF9Z34N

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRFB23N20D	196Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFD024	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)
	IRFI1010N	109Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRLD024	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)

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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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