2015/4/24 

p.4 

EMB90P06CS

T   ‐ Junction Temperature (° C)

‐50

0

‐25

25

I   = ‐10 A

V     = ‐ 10V

125

50

75

100

150

J

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

On‐Resistance Variation with Temperature

GS

D

A

T   = ‐55°C

‐V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

1.5

5

0

15

GS

2.5

V   = ‐ 10V

25

10

20

30

DS

3.5

4.5

5.5

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

GS

A

T   = 125°C

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

‐ 5.0V

‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

24

0

0

8

16

DS

2

4

‐ 6.0V

V    = ‐ 10.0V

‐ 7.0V

32

40

GS

68

‐ 4.5V

10

On‐Region Characteristics

‐ 8.0V

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

‐ I   ‐ Drain Current(A)

1.5

0.5

0

1

8

D

16

GS

V    = ‐ 4.5 V

2

‐ 5.0 V

‐ 7.0 V

24

32

‐ 8.0 V

‐ 10.0 V

40

‐ 6.0 V

2.5

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 25°C

T   = 125°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage(V)

6

0

2

0.10

GS

4

A

0.20

0.30

0.40

8

A

10

I   = ‐ 5 A

D

TYPICAL CHARACTERISTICS