HM2553 datasheet(4/12 Pages) HMSEMI

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电特性

at Ta = 25°C, VM= 24 V

PARAMETER

TEST CONDITIONS

MIN

TYP MAX UNIT

POWER SUPPLY

IVM

VM 静态工作电流

fPWM < 50 kHz

IVMQ

VM 休眠电流

IN1=IN2=L

VUVLO

VM 欠压锁定值

VM rising

5.3

5.6

VHYS

VM 欠压迟滞

300

tON

开启时间

VM> VUVLO, and IN1 or IN2 high

LOGIC-LEVEL INPUTS

VIL

逻辑输入低电压

0.5

0.7

VIH

逻辑输入高电压

1.5

5.25

VHYS

逻辑输入迟滞

0.25

IIL

逻辑输入电流

_低电平

VIN = 0

-20

IIH

逻辑输入电流

_高电平

VIN = 3.3 V

100

Rpd

输入内部下拉电阻

Other

100

kΩ

tDEG

输入防抖动延迟

450

tSLEEP

进入

SLEEP 状态延迟

1.5

H-BRIDGE FETS

RDS(ON)

高侧

FET 导通电阻

I O = 1A，TJ = 25°C

300

mΩ

低侧

FET 导通电阻

I O = 1A，TJ = 25°C

250

IOFF

输出关断漏电流

-1

MOTOR DRIVER

toFF

电流衰减时间

Internal PWM OFF-TIME

上升时间

VM =24V, 22Ω to GND, 10% to 90%

120

下降时间

VM =24V, 22Ω to GND, 10% to 90%

tDEAD

死区时间

300

AISEN

ISEN 电流增益

V/V

tBLANK

消隐时间

PROTECTION CIRCUITS

IOCP

过流峰值

3.5

4.5

5.5

HM2553

HM2553 数据表(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM2553 数据表(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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