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LC75386NE-R 数据表(PDF) 18 Page - Sanyo Semicon Device |
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LC75386NE-R 数据表(HTML) 18 Page - Sanyo Semicon Device |
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18 / 23 page ![]() LC75386NE-R, 75386NW No.6170-18/23 使用上の注意 (1) 電源投入時におけるデータ送信について ・電源投入時、内部のアナログスイッチの状態は不定である。データをセットするまでは、ミューティング等の 対策を外部で行うこと。 ・電源投入時、各ブロックのバイアスを短時間で安定させるために一度イニシャル設定データを送信すること。 ① イニシャル設定モードから初期データ設定までの時間 ・VDD=6V 以上になってから、イニシャル設定データを送信すること。 ・LCOM 端子、RCOM 端子が VREF レベルに安定してから、初期データを設定すること。 ② イニシャル設定モードの設定方法 D32,D33 を 00 に設定すると、内蔵イニシャル設定用 SW がオンし、急速充電モードに設定される。 この時、他のデータ(D0∼D31,D34∼D43)は Lch/Rch 同時に設定されるので、各ブロックの状態設定も同時に 行うことができる。 ③ イニシャル設定モード解除の方法 D32,D33 が 00 以外、すなわち通常の Lch/Rch チャネル指定を行えば、内蔵イニシャル設定用 SW がオフし、 急速充電モードを解除できる。 (2) ゼロクロス切換え回路の動作説明 LC75386NE-R/NW は、ゼロクロスコンパレータの信号検出場所を切換えられる機能を有し、データを更新するブロックに 最適な検出場所を選択できる。基本的には、データを更新するブロックの直後の信号をゼロクロスコンパレー タに入力すれば切換えノイズを最小にできるので、その都度検出場所を切換える必要がある。 また、信号振幅がゼロクロスコンパレータの検出感度以下(数 mVrms)になった場合(ボリウムをしぼった状態) は、ゼロクロスタイマオーバフローによる書込みを行うよりも、ボリウムブロックの前すなわちセレクタブロ ックの出力でゼロクロスを検出した方が切換えノイズを小さくできる。例えば、ボリウムブロックの入力振幅 が 1Vrms の場合、ボリウムを-40dB 以下に設定すると 10mVrms 以下となるので、セレクタブロック出力で検出 した方が、切換えノイズを小さくできる。 LC75386NE-R/NW ゼロクロス検出回路 ボリウム トーン フェダー セレクタ スイッチ ゼロクロス コンパレータ LCOM 端子、RCOM 端子に接続されているコンデンサが VREF レベルまでチャージされるまでの時間 1/2 VDD レベル VREF VDD=6V VDD データ VDD=9V(TYP) 初期データ RCH 側 初期データ LCH 側 イニシャル設定 モード イニシャル設定 モード解除 |
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