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LC75386NE-R 数据表(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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LC75386NE-R 数据表(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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2 / 23 page  LC75386NE-R, 75386NW No.6170-2/23 許容動作範囲／Ta=25℃，VSS=0V 項 目 記 号 条 件 min typ max 単 位 電 源電圧 VDD VDD 6.0 10.5 V 入力｢H｣レベル電圧 VIH CL,DI,CE,MUTE 4.0 VDD V 入力｢L｣レベル電圧 VIL CL,DI,CE,MUTE VSS 1.0 V 入力振幅電圧 VIN VSS VDD Vp-p 入力パルス幅 TφWCL 1 μs セットアップ時間 Tsetup CL,DI,CE 1 μs ホールド時間 Thold CL,DI,CE 1 μs 動 作周波数 fopg CL 500 kHz 電気的特性／Ta=25℃，VDD=9V，VSS=0V 入力ブロック 項 目 記 号 端 子 名 条 件 min typ max 単 位 入 力 抵 抗 Rin L1∼L4,L6,R1∼R4,R6 30 50 70 kΩ 最 小入力ゲイン Ginmin L1∼L4,L6,R1∼R4,R6 -1 0 +1 dB 最 大入力ゲイン Ginmax +16.5 +18.75 +21 dB ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr ±0.6 dB L/R バランス BAL ±0.5 dB ボリウムブロック 項 目 記 号 端 子 名 条 件 min typ max 単 位 入 力抵抗 Rvr LVRIN,RVRIN, ﾗｳﾄﾞﾈｽ OFF 113 226 339 kΩ ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr ±0.5 dB L/R バランス BAL ±0.5 dB トーンブロック 項 目 記 号 端 子 名 条 件 min typ max 単 位 ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr ±1.0 dB ﾊ ﾞ ｽ ｺ ﾝ ﾄ ﾛ ｰ ﾙ ﾚ ﾝ ｼ ﾞ Gbass max.boost/cut ±9±12 ±15 dB ﾄﾚﾌﾞﾙｺﾝﾄﾛｰﾙﾚﾝｼﾞ Gtre max.boost/cut ±9±12 ±15 dB L/R バランス BAL ±0.5 dB 絶対最大定格／Ｔａ＝２５℃，ＶS S＝０Ｖ 項 目 記 号 条 件 定 格 単 位 最大電源電圧 VDDmax VDD 11 V 最大入力電圧 VIN max 全入力端子 VSS-0.3∼VDD+0.3 V 許容消費電力 Pd max Ta≦85℃，基板取付け時 (LC75386NE-R)500 (LC75386NW)420 mW 動作周囲温度 Topr -40∼ +85 ℃ 保存周囲温度 Tstg -50∼ +125 ℃ |
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