AN3161 datasheet(3/14 Pages) STMICROELECTRONICS

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AN3161

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Doc ID 17151 Rev 1

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Figure 1.

∆IC (@TJ = 25 °C) of two paralleled IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Figure 2.

∆IC (@TJ > 25 °C) of two paralleled IGBT without negative feedback . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Figure 3.

Static VCE(sat)(@20 A,15 V) derating for STGW35HF60WD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Figure 4.

EOFF vs. VCE(sat) for the STGW35HF60WD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Figure 5.

DC-DC boost scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Figure 6.

VCE(sat)(@20 A, 25 °C, 15 V) grouping for the STGW35HF60WD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Figure 7.

∆IC at TC = 25 °C (board startup) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Figure 8.

∆IC at TC = 100 °C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Figure 9.

∆IC at TC = 25 °C (board startup) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Figure 10.

∆IC at TC = 100 °C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Figure 11.

∆IC at TC = 25 °C (board startup) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Figure 12.

∆IC at TC = 100 °C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

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