VX201700CHM3/P 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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VX201700CHM3/P 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

VX201700CHM3/P Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	VX201700CHM3/P

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文件大小	124.84 Kbytes

页	5 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A

VX201700CHM3/P Datasheet (PDF)

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部件名	VX201700CHM3/P

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页	5 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A

VX201700CHM3/P 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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VX201700CHM3/P 产品详情

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum,
10 s per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3

类似零件编号 - VX201700CHM3/P

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	VX20202C	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A 04-Nov-2020
	VX20202C-M3/P	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A 04-Nov-2020
	VX20202CHM3/P	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5.0 A 04-Nov-2020

类似说明 - VX201700CHM3/P

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	VT5200	148Kb / 5P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 14-Aug-13
	V30100PW-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A 20-Dec-13
	VT30L60C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT4060C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT5200-E3	146Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 12-Dec-16
	VT10200C-M3	158Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 01-Dec-16
	V20M120M-E3	98Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5 A 11-May-16
	VB20150C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	VB30150C-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5.0 A 22-May-13
	VBT4060C-M3	88Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 03-Jan-17

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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