IRFZ46N 数据表(PDF)

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IRFZ46N 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRFZ46N Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRFZ46N

下载	IRFZ46N 下载

文件大小	85.31 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A)

IRFZ46N Datasheet (PDF)

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部件名	IRFZ46N

下载	IRFZ46N Click to download

文件大小	85.31 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A)

IRFZ46N 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRFZ46N 产品详情

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology
• Ultra Low On-Resistance
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

类似零件编号 - IRFZ46N

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)
Inchange Semiconductor ...	IRFZ46N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRFZ46N	2Mb / 31P	SEMICONDUCTORS
SYC Electronica	IRFZ46N	150Kb / 8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRFZ46NL	263Kb / 10P	HEXFET POWER MOSFET

More results

类似说明 - IRFZ46N

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF9Z34N	108Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFP044N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ44VS	145Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)

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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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