AFT09S200W02N datasheet(8/19 Pages) NXP

部件名	AFT09S200W02N

功能描述	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

PDF	19 Pages

Scroll/Zoom	100%

制造商	NXP [NXP Semiconductors]

网页	http://www.nxp.com

标志

8 / 19 page

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

AFT09S200W02NR3 AFT09S200W02GNR3

P1dB -- TYPICAL LOAD PULL CONTOURS — 940 MHz

NOTE:

= Maximum Output Power

= Maximum Drain Efficiency

Gain

Drain Efficiency

Linearity

Output Power

--2

1.5

22.5

0.5

--0.5

--1

--1.5

--2

1.5

22.5

0.5

--0.5

--1

--1.5

56 54

REAL ()

--2

1.5

22.5

0.5

--0.5

--1

--1.5

--2

--0.5

--1

0.5

1.5

2.5

0.5

--1.5

52.5

51.5

53.5

50.5

19.5

18.5

17.5

21.5

20.5

--4

--6

--18

--8

--10

--16

--14 --12

Figure 10. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)

REAL ()

Figure 11. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)

Figure 12. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)

REAL ()

Figure 13. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()

REAL ()

AFT09S200W02N 数据表(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors

AFT09S200W02N 数据表(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19

数据表下载

链接网址

AFT09S200W02N 数据表(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors

AFT09S200W02N 数据表(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19

数据表 下载

链接网址

数据表下载