F 2000D

InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux)

InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)

Vorläufige Daten / Preliminary Data

2003-04-15

1

Wesentliche Merkmale

• Optimierte Lichtauskopplung durch

Oberflächenstrukturierung und Stromverteilung

• Chipgröße 700 x 700

• Wellenlänge (typ.) : 617 nm

• Technologie:InGaAIP

• Typ. Lichtfluß: 20 lm @ 400 mA (gepulst, im

Golden Dragon

Anwendungen

• Ampeln

• Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,

Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,

Allgemeinbeleuchtung)

• Beleuchtung im Automobilbereich

(z.B. Instrumentenbeleuchtung, Bremslichter

und Blinklichter)

• Ersatz von Kleinst-Glühlampen

• Tragbare Beleuchtung

• Fassadenbeleuchtung im Innen- und

Außenbereich

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Beschreibung

Description

F 2000D

Q65110A0981

Rot emittierender Chip mit optimierter Lichtauskopplung

durch Oberflächenstrukturierung, Oberseite Anodenan-

schluss

Red emitting chip with optimized light extraction due to sur-

face structuring, top side anode connection

Feature

• Optimized light extraction due to surface

structuring and current distribution

• Chip size 700 x 700

• Wavelength (typ.): 617 nm

• Technology: InGaAIP

• Typ. luminous flux: 20 lm @ 400 mA (pulsed, in

Golden Dragon

Applications

• Traffic lights

• Backlighting (LCD, cellular phones, switches,

keys, displays, illuminated advertising,general

lighting)

• Automotive lighting (e.g. dashboard

backlighting, brake lights, turn signal lamps,

etc.)

• Substitution of micro incandescent lamps

• Portable light source

• Indoor and outdoor commercial and residential

architectural lighting