STS7P4LLF6 数据表(PDF)

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STS7P4LLF6 数据表 (PDF) - STMicroelectronics

STS7P4LLF6 Datasheet PDF - STMicroelectronics


部件名	STS7P4LLF6

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制造商	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

网页	http://www.st.com

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功能描述	High avalanche ruggedness

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制造商	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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功能描述	High avalanche ruggedness

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STS7P4LLF6 产品详情

Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

Applications
■ Switching applications

类似零件编号 - STS7P4LLF6

制造商	部件名	数据表	功能描述
STMicroelectronics	STS7PF30L	135Kb / 6P	P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET??II POWER MOSFET Dec-2002
STMicroelectronics	STS7PF30L	234Kb / 11P	P-CHANNEL 30V - 0.16廓 - 7A - SO-8 STripFET??II Power MOSFET 09-Nov-2005
VBsemi Electronics Co.,...	STS7PF30L	1,004Kb / 9P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	STS7PF30L	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
STMicroelectronics	STS7PF30L	234Kb / 11P	P-CHANNEL 30V - 0.16廓 - 7A - SO-8 STripFET??II Power MOSFET 09-Nov-2005

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类似说明 - STS7P4LLF6

制造商	部件名	数据表	功能描述
STMicroelectronics	STH290N4F6-2AG	486Kb / 19P	High avalanche ruggedness 03-Jul-2015
	STD20P3H6AG	728Kb / 15P	High avalanche ruggedness 18-Sep-2015
	STL220N6F7	744Kb / 13P	High avalanche ruggedness 22-Sep-2014
	STH170N8F7-2	823Kb / 15P	High avalanche ruggedness 20-Feb-2015
	STL86N3LLH6AG	1,009Kb / 16P	High avalanche ruggedness February 2015 Rev 3
	STP220N6F7	561Kb / 13P	High avalanche ruggedness 07-Oct-2015
	STL4P3LLH6	766Kb / 13P	High avalanche ruggedness 09-Dec-2014
	STL8N6F7	893Kb / 12P	High avalanche ruggedness 27-Aug-2015
	STL30P3LLH6	1Mb / 15P	High avalanche ruggedness 08-Jan-2014
	STS30N3LLH6	776Kb / 13P	High avalanche ruggedness July 2009 Rev 2

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关于 STMicroelectronics

Stmicroelectronics是位于瑞士日内瓦的跨国电子和半导体制造商。

该公司为汽车，工业和消费者市场的各种应用提供了广泛的产品，包括微控制器，传感器，功率放大器和集成电路。

Stmicroelectronics成立于1987年，在100多个国家 /地区开展业务，是世界上最大的半导体公司之一。

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