OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

ISC055N15NM6

Public

Datasheet

3

Revision 2.0

https://www.infineon.com

2024‑04‑16

1   Maximum ratings

at  =25 °C, unless otherwise specified

T

Table 2      Maximum ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Continuous drain current 1)

I

‑

‑

130 

92 

85 

15.4

A

V =10 V,  =25 °C 

T

=10 V,  =100 °C 

V

T

=8 V,  =100 °C 

V

T

=10 V, =25 °C,

=50 °C/W 

V

T

R

2)

Pulsed drain current 3)

I

‑

‑

520 A

T =25 °C

Avalanche current, single pulse 4)

I

‑

‑

50 A

T =25 °C

Avalanche energy, single pulse

E

‑

‑

749 mJ

I =13 A,  =25 Ω

R

Gate source voltage

V

‑20 ‑

20 V

‑

Power dissipation

P

‑

‑

214 

3.0 W

T =25 °C 

=25 °C, 

=50 °C/W 

T

R

2)

Operating and storage temperature

T , T

‑55 ‑

175 °C

‑

    Rating refers to the product only with datasheet specified absolute maximum values, maintaining case temperature as 

1)

specified. For other case temperatures please refer to Diagram 2. De‑rating will be required based on the actual environmental 

conditions.

    Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm  (one layer, 70 μm thick) copper area for drain connection. PCB 

2)

2

is vertical in still air.

    See Diagram 3 for more detailed information

3)

    See Diagram 13 for more detailed information

4)

2   Thermal characteristics

Table 3      Thermal characteristics

Parameter

Symbol

Values

Unit Note/ Test Condition

Min. Typ. Max.

Thermal resistance, junction ‑ case,

bottom

R

‑

‑

0.7 °C/W ‑

Thermal resistance, junction ‑ case,

top

R

‑

‑

20 °C/W ‑

Thermal resistance, junction ‑ 

ambient,

6 cm² cooling area 5)

R

‑

‑

50 °C/W ‑

    Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm  (one layer, 70 μm thick) copper area for drain connection. PCB 

5)

2

is vertical in still air.

A

D

GS

C

GS

C

GS

C

GS

A

thJA

D,pulse

C

AS

C

AS

D

GS

GS

tot

C

A

thJA

j

stg

thJC

thJC

thJA