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ISC055N15NM6 数据表(PDF) 4 Page - Infineon Technologies AG

部件名 ISC055N15NM6
功能描述  MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V
PDF  13 Pages
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制造商  INFINEON [Infineon Technologies AG]
网页  http://www.infineon.com
标志 INFINEON - Infineon Technologies AG

ISC055N15NM6 数据表(HTML) 4 Page - Infineon Technologies AG

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background image
OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V
ISC055N15NM6
Public
Datasheet
4
Revision 2.0
https://www.infineon.com
2024‑04‑16
3   Electrical characteristics
at  =25 °C, unless otherwise specified
T
Table 4      Static characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit Note/ Test Condition
Min. Typ. Max.
Drain‑source breakdown voltage
V
150 ‑
‑
V
V =0 V,  =1 mA
I
Gate threshold voltage
V
3.0 3.5 4.0 V
V = ,  =110 μA
V I
Zero gate voltage drain current
I
‑
0.1 
10
1 
100 μA
V =120 V,  =0 V,  =25 °C 
V
T
=120 V,  =0 V,  =125 °C
V
V
T
Gate‑source leakage current
I
‑
10 100 nA
V =20 V,  =0 V
V
Drain‑source on‑state resistance
R
‑
4.5 
5.0 
5.6
5.2 
5.5 
6.4
mΩ
V =15 V,  =50 A 
I
=10 V,  =50 A 
V
I
=8 V,  =25 A
V
I
Gate resistance
R
‑
0.74 1.11 Ω
‑
Transconductance
g
42 85 ‑
S
| |≥2| |
,  =50 A
V
I R
I
Table 5      Dynamic characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit Note/ Test Condition
Min. Typ. Max.
Input capacitance 6)
C
‑
3100 4000 pF
V =0 V,  =75 V,  =1 MHz
V
f
Output capacitance 6)
C
‑
970 1300 pF
V =0 V,  =75 V,  =1 MHz
V
f
Reverse transfer capacitance 6)
C
‑
14
21
pF
V =0 V,  =75 V,  =1 MHz
V
f
Turn‑on delay time
t
‑
12
‑
ns
V =75 V,  =10 V,  =25 A, 
=1.
V
I
R
6 Ω
Rise time
t
‑
6
‑
ns
V =75 V,  =10 V,  =25 A, 
=1.
V
I
R
6 Ω
Turn‑off delay time
t
‑
16
‑
ns
V =75 V,  =10 V,  =25 A, 
=1.
V
I
R
6 Ω
Fall time
t
‑
8
‑
ns
V =75 V,  =10 V,  =25 A, 
=1.
V
I
R
6 Ω
    Defined by design. Not subject to production test.
6)
j
(BR)DSS
GS
D
GS(th)
DS
GS D
DSS
DS
GS
j
DS
GS
j
GSS
GS
DS
DS(on)
GS
D
GS
D
GS
D
G
fs
DS
D DS(on)max D
iss
GS
DS
oss
GS
DS
rss
GS
DS
d(on)
DD
GS
D
G,ext
r
DD
GS
D
G,ext
d(off)
DD
GS
D
G,ext
f
DD
GS
D
G,ext



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